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TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510144865.X
申请日：
2015-03-30
公开(公告)号：
CN104950023B
公开(公告)日：
2015-09-30
发明(设计)人：
竹知和重
芳贺浩史
岩松新之辅
小林诚也
阿部泰
矢作彻
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
G01N2726
IPC分类号：
代理机构：
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人：
黄志华
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-12-13 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01N 27/26 变更事项:专利权人 变更前:NLT科技股份有限公司 变更后:天马日本株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县 变更后:日本神奈川县 |
| 2016-11-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687202718 IPC(主分类):G01N 27/26 专利申请号:201510144865X 申请日:20150330 |
| 2019-12-13 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):G01N 27/26 登记生效日:20191125 变更事项:专利权人 变更前权利人:天马日本株式会社 变更后权利人:天马微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本神奈川县 变更后权利人:广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918 |
| 2015-09-30 | 公开 | 公开 |
| 2019-07-26 | 授权 | 授权 |