形成离子传感器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980054460.3

申请日：

2019-08-16

公开(公告)号：

CN112585458A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

P.瓦戈纳

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G01N27414

IPC分类号：

H01L2100 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/414 申请日:20190816

共 50 条

[1]

形成离子传感器的方法 [P].

P.瓦戈纳 ;

J.欧文斯 ;

S.帕克 .

中国专利 :CN112585459A ,2021-03-30

[2]

形成离子传感器的方法 [P].

P.瓦戈纳 ;

J.欧文斯 ;

S.帕克 .

美国专利 :CN112585459B ,2024-01-02

[3]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[4]

离子传感器、离子传感器的制造方法和离子的测定方法 [P].

小岛顺子 ;

内山兼一 ;

本乡沙也加 .

日本专利 :CN117642626A ,2024-03-01

[5]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[6]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[7]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

[8]

图像传感器的形成方法 [P].

魏代龙 ;

王连红 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108470743A ,2018-08-31

[9]

形成图像传感器装置的方法 [P].

李岳川 ;

陈嘉展 ;

林荣义 ;

林稔杰 ;

李志煌 ;

陈达欣 .

中国专利 :CN108615739B ,2018-10-02

[10]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

中国专利 :CN115698693A ,2023-02-03

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