超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921910066.9

申请日：

2019-11-07

公开(公告)号：

CN210640243U

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

王新蒋振雷

申请人：

申请人地址：

311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1217号IT公园1号楼

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L2198 H01L2331 H01L2348 H01L2150 H01L2156

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张超

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	授权	授权

共 50 条

[1]

超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构与制备方法 [P].

王新 ;

蒋振雷 .

中国专利 :CN110707075A ,2020-01-17

[2]

一种高密度芯片的扇出型封装结构 [P].

王新 ;

蒋振雷 .

中国专利 :CN212084946U ,2020-12-04

[3]

一种多芯片堆叠的三维扇出型封装结构 [P].

胡正勋 ;

梁新夫 ;

郭洪岩 ;

潘波 ;

夏剑 ;

张朝云 ;

崔献威 ;

陈文军 .

中国专利 :CN212461681U ,2021-02-02

[4]

一种多芯片堆叠的三维扇出型封装结构 [P].

胡正勋 ;

梁新夫 ;

郭洪岩 ;

潘波 ;

夏剑 ;

张朝云 ;

崔献威 ;

陈文军 .

中国专利 :CN212570991U ,2021-02-19

[5]

三维高密度扇出型封装结构及其制造方法 [P].

陈峰 ;

张文奇 .

中国专利 :CN107622996A ,2018-01-23

[6]

用于超高密度芯片FOSiP封装的结构 [P].

王新 ;

蒋振雷 ;

陈坚 .

中国专利 :CN210073829U ,2020-02-14

[7]

一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法 [P].

王新 ;

蒋振雷 .

中国专利 :CN111668120A ,2020-09-15

[8]

一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法 [P].

王新 ;

蒋振雷 .

中国专利 :CN111668120B ,2024-11-22

[9]

一种多芯片堆叠的三维扇出型封装结构及其封装方法 [P].

胡正勋 ;

梁新夫 ;

郭洪岩 ;

潘波 ;

夏剑 ;

张朝云 ;

崔献威 ;

陈文军 .

中国专利 :CN112038330A ,2020-12-04

[10]

扇出高密度封装结构 [P].

陶玉娟 ;

石磊 .

中国专利 :CN201994290U ,2011-09-28

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