一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010483217.8
申请日
2020-06-01
公开(公告)号
CN111668120B
公开(公告)日
2024-11-22
发明(设计)人
王新 蒋振雷
申请人
杭州晶通科技有限公司
申请人地址
311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1217号IT公园1号楼
IPC主分类号
H01L21/56
IPC分类号
H01L21/48 H01L23/31 H01L21/78
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
张超
法律状态
授权
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法 [P]. 
王新 ;
蒋振雷 .
中国专利 :CN111668120A ,2020-09-15
[2]
一种高密度芯片的扇出型封装结构 [P]. 
王新 ;
蒋振雷 .
中国专利 :CN212084946U ,2020-12-04
[3]
超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构 [P]. 
王新 ;
蒋振雷 .
中国专利 :CN210640243U ,2020-05-29
[4]
超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构与制备方法 [P]. 
王新 ;
蒋振雷 .
中国专利 :CN110707075A ,2020-01-17
[5]
一种高密度多芯片的扇出型封装结构及其制造方法 [P]. 
杨帅 ;
徐成 ;
孙鹏 .
中国专利 :CN117750784A ,2024-03-22
[6]
高密度芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
何正鸿 .
中国专利 :CN120376433B ,2025-09-30
[7]
高密度芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
何正鸿 .
中国专利 :CN120376433A ,2025-07-25
[8]
一种异构芯片高密度互连的扇出型封装结构 [P]. 
柯峥 ;
朱家昌 ;
章国涛 ;
高艳 ;
李聪 .
中国专利 :CN217847936U ,2022-11-18
[9]
一种高密度扇出型封装方法及产品 [P]. 
付东之 ;
马书英 ;
陈志华 ;
赵艳娇 .
中国专利 :CN119725304A ,2025-03-28
[10]
高密度光电集成的2.5维扇出型封装结构及其制备方法 [P]. 
陈彦亨 ;
林正忠 .
中国专利 :CN119024495A ,2024-11-26