无金属电极的垂直结构的LED高压芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220595314.7

申请日：

2012-11-13

公开(公告)号：

CN202930431U

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

金木子

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

IPC主分类号：

H01L3364

IPC分类号：

H01L3362 H01L3338 H01L2715

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	授权	授权
2017-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101695977426 IPC(主分类):H01L 33/64 专利号:ZL2012205953147 申请日:20121113 授权公告日:20130508 终止日期:20151113

共 50 条

[1]

无金属电极的垂直结构的LED高压芯片 [P].

金木子 .

中国专利 :CN103811650A ,2014-05-21

[2]

一种无金属电极的LED芯片 [P].

叶逸仁 ;

郑香奕 .

中国专利 :CN204303858U ,2015-04-29

[3]

倒装结构的LED高压芯片 [P].

金木子 .

中国专利 :CN202930422U ,2013-05-08

[4]

一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片 [P].

张晓娜 ;

崔志勇 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN215266344U ,2021-12-21

[5]

一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片 [P].

张晓娜 ;

崔志勇 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN113690356B ,2024-12-10

[6]

一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片 [P].

张晓娜 ;

崔志勇 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN113690356A ,2021-11-23

[7]

集成的外延金属电极 [P].

R·佩尔策尔 ;

A·克拉克 ;

R·达尔基斯 ;

M·莱比 ;

R·哈蒙德 .

中国专利 :CN113366614A ,2021-09-07

[8]

集成的外延金属电极 [P].

罗德尼·佩尔策尔 ;

安德鲁·克拉克 ;

吕蒂斯·达吉斯 ;

帕特里克·秦 ;

迈克尔·莱比 .

中国专利 :CN109964302A ,2019-07-02

[9]

金属电极结构的制造方法 [P].

张瑞朋 ;

丁敬秀 .

中国专利 :CN106553992A ,2017-04-05

[10]

金属电极及使用该金属电极封装的半导体激光器 [P].

李阳 ;

李德龙 .

中国专利 :CN203415570U ,2014-01-29

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