下层膜形成组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980050223.X

申请日：

2019-07-23

公开(公告)号：

CN112513737A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

冈田悠牧野岛高史越后雅敏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F711

IPC分类号：

C08G804 G03F720 G03F7039

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/11 申请日:20190723
2021-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

下层膜形成组合物 [P].

冈田悠 ;

牧野岛高史 ;

越后雅敏 .

日本专利 :CN112513737B ,2024-11-15

[2]

膜形成组合物 [P].

森田敏郎 .

中国专利 :CN101479833B ,2009-07-08

[3]

膜形成组合物 [P].

森田敏郎 ;

佐藤功 .

中国专利 :CN101346799A ,2009-01-14

[4]

被膜形成组合物 [P].

岸克彦 ;

桐野学 .

中国专利 :CN111465666A ,2020-07-28

[5]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

大桥智也 ;

木村茂雄 ;

绪方裕斗 .

中国专利 :CN104885010A ,2015-09-02

[6]

下层抗反射膜形成用组合物 [P].

仁川裕 ;

高市哲正 ;

河户俊二 ;

片山朋英 .

中国专利 :CN109564388B ,2019-04-02

[7]

用于形成抗蚀剂下层膜的组合物 [P].

桥本雄人 ;

洼寺俊 ;

小田切薰敬 ;

上林哲 ;

西田登喜雄 ;

后藤裕一 ;

染谷安信 ;

远藤勇树 .

中国专利 :CN114761876A ,2022-07-15

[8]

抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法 [P].

中原贵佳 ;

郡大佑 ;

美谷岛祐介 .

日本专利 :CN118584753A ,2024-09-03

[9]

涂布膜形成组合物和半导体装置的制造方法 [P].

西田登喜雄 ;

坂本力丸 ;

染谷安信 ;

岸冈高广 .

中国专利 :CN111936588A ,2020-11-13

[10]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

绪方裕斗 ;

广原知忠 ;

西卷裕和 ;

中岛诚 .

中国专利 :CN115427891A ,2022-12-02

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