一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410090720.1

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

CN103824913A

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

林长军

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745442255 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2014100907201 登记号:2016340000130 登记生效日:20161226 出质人:合肥彩虹蓝光科技有限公司质权人:中信银行股份有限公司合肥分行发明名称:一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法申请日:20140312 授权公告日:20160824
2021-03-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210308 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230012 安徽省合肥市新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2014-05-28	公开	公开
2017-12-29	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20160824 申请日:20140312 登记号:2016340000130 出质人:合肥彩虹蓝光科技有限公司质权人:中信银行股份有限公司合肥分行解除日:20171205
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583213667 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2014100907201 申请日:20140312
2016-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

具有In掺杂的低温生长P型GaN外延方法 [P].

郭丽彬 .

中国专利 :CN102867892A ,2013-01-09

[2]

一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法 [P].

胡丹 ;

缪炳有 ;

张汝京 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN104241464B ,2014-12-24

[3]

一种氮化镓P型层的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112481695A ,2021-03-12

[4]

外延片中P型层的生长方法 [P].

霍丽艳 ;

黄小辉 ;

周德保 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN106252473A ,2016-12-21

[5]

一种LED外延片及其外延生长方法 [P].

吴雪花 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04

[6]

一种具有Al和In掺杂生长的低温P型GaN外延片 [P].

刘丽军 ;

任亮亮 ;

曾海军 ;

祝光辉 .

中国专利 :CN109300851A ,2019-02-01

[7]

一种LED发光层外延生长方法及其结构 [P].

张洪涛 ;

朱鸣飞 .

中国专利 :CN108281521A ,2018-07-13

[8]

一种LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111261755B ,2020-06-09

[9]

一种GaN基LED外延片的生长方法 [P].

肖志国 ;

关秋云 ;

杨天鹏 ;

展望 ;

张博 ;

武胜利 .

中国专利 :CN105118900A ,2015-12-02

[10]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114695610A ,2022-07-01

← 1 2 3 4 5 →