一种具有Al和In掺杂生长的低温P型GaN外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811022370.X

申请日：

2018-09-03

公开(公告)号：

CN109300851A

公开(公告)日：

2019-02-01

发明(设计)人：

刘丽军任亮亮曾海军祝光辉

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市景秀路6号

IPC主分类号：

H01L2186

IPC分类号：

H01L3302 H01L3306 H01L3312 H01L3332

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

温福雪

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/86 申请公布日:20190201
2019-02-01	公开	公开
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/86 申请日:20180903

共 50 条

[1]

一种具有In和Al掺杂，In渐变生长的低温P型GaN外延方法 [P].

刘丽军 ;

任亮亮 ;

曾海军 ;

祝光辉 ;

李刚 .

中国专利 :CN109360877A ,2019-02-19

[2]

具有In掺杂的低温生长P型GaN外延方法 [P].

郭丽彬 .

中国专利 :CN102867892A ,2013-01-09

[3]

一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法 [P].

林长军 .

中国专利 :CN103824913A ,2014-05-28

[4]

一种LED外延片及其外延生长方法 [P].

吴雪花 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04

[5]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

高凡 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

柴旗 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101847673A ,2010-09-29

[6]

一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

刘永明 ;

王成新 ;

肖成峰 .

中国专利 :CN111490133B ,2020-08-04

[7]

一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

姚振 ;

从颖 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108461582A ,2018-08-28

[8]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103199169A ,2013-07-10

[9]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192831U ,2013-09-11

[10]

Cδ掺杂的p型GaN/AlGaN结构、LED外延片结构及制备方法 [P].

黄眉眉 ;

张旺 .

中国专利 :CN102881784B ,2013-01-16

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