一种具有In和Al掺杂，In渐变生长的低温P型GaN外延方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811022399.8

申请日：

2018-09-03

公开(公告)号：

CN109360877A

公开(公告)日：

2019-02-19

发明(设计)人：

刘丽军任亮亮曾海军祝光辉李刚

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332 H01L3300

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

温福雪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-11	授权	授权
2019-02-19	公开	公开
2019-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20180903

共 50 条

[1]

一种具有Al和In掺杂生长的低温P型GaN外延片 [P].

刘丽军 ;

任亮亮 ;

曾海军 ;

祝光辉 .

中国专利 :CN109300851A ,2019-02-01

[2]

具有In掺杂的低温生长P型GaN外延方法 [P].

郭丽彬 .

中国专利 :CN102867892A ,2013-01-09

[3]

一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法 [P].

林长军 .

中国专利 :CN103824913A ,2014-05-28

[4]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103199169A ,2013-07-10

[5]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192831U ,2013-09-11

[6]

一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法 [P].

王嘉 ;

谢亚宏 ;

胡晓东 ;

秦宇航 .

中国专利 :CN105568386A ,2016-05-11

[7]

一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法 [P].

胡丹 ;

缪炳有 ;

张汝京 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN104241464B ,2014-12-24

[8]

一种氮化镓P型层的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112481695A ,2021-03-12

[9]

具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法 [P].

王洪 ;

徐明升 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN107146836A ,2017-09-08

[10]

外延片中P型层的生长方法 [P].

霍丽艳 ;

黄小辉 ;

周德保 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN106252473A ,2016-12-21

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