一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410452957.X

申请日：

2014-09-05

公开(公告)号：

CN104241464B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

胡丹缪炳有张汝京黄宏嘉

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3314

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

胡乐

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20140905 授权公告日:20171222 终止日期:20200905
2014-12-24	公开	公开
2017-12-22	授权	授权
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595663630 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:201410452957X 申请日:20140905

共 50 条

[1]

一种氮化镓P型层的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112481695A ,2021-03-12

[2]

一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法 [P].

林长军 .

中国专利 :CN103824913A ,2014-05-28

[3]

一种利于提高散热性的氮化镓外延生长方法 [P].

孔玮 ;

杨军 ;

马亚庆 .

中国专利 :CN114438595A ,2022-05-06

[4]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[5]

一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法 [P].

陈明 .

中国专利 :CN115548102A ,2022-12-30

[6]

一种氮化镓PIN结构的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112501689A ,2021-03-16

[7]

一种氮化镓量子阱的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

王子懿 ;

林丰旭 ;

单娟 ;

田露 .

中国专利 :CN112349817B ,2021-02-09

[8]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[9]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[10]

氮化镓薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738767A ,2025-10-03

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