一种氮化镓量子阱的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011232484.4

申请日：

2020-11-06

公开(公告)号：

CN112349817B

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

尹宝堂王子懿林丰旭单娟田露

申请人：

申请人地址：

124010 辽宁省盘锦市兴隆台区兴业街30号高新技术产业开发区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 C23C1644 C23C1602 C23C1656 C23C1634

代理机构：

重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219

代理人：

杨光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20201106
2021-07-23	授权	授权
2021-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓PIN结构的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112501689A ,2021-03-16

[2]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[3]

一种氮化镓P型层的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112481695A ,2021-03-12

[4]

一种氮化镓基LED外延层的生长方法 [P].

田洪涛 .

中国专利 :CN102465334A ,2012-05-23

[5]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[6]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[7]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[8]

一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法 [P].

陈明 .

中国专利 :CN115548102A ,2022-12-30

[9]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[10]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

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