一种利于提高散热性的氮化镓外延生长方法

被引：0

申请号：

CN202210100966.7

申请日：

2022-01-27

公开(公告)号：

CN114438595A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

孔玮杨军马亚庆

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518

代理机构：

成都行之智信知识产权代理有限公司 51256

代理人：

李林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-06	公开	公开
2022-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20220127

共 50 条

[1]

氮化镓薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738767A ,2025-10-03

[2]

一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法 [P].

汪莱 ;

杨沛珑 ;

郝智彪 ;

罗毅 .

中国专利 :CN119530964A ,2025-02-28

[3]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[4]

一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法 [P].

陈明 .

中国专利 :CN115548102A ,2022-12-30

[5]

一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法 [P].

胡丹 ;

缪炳有 ;

张汝京 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN104241464B ,2014-12-24

[6]

一种氮化镓PIN结构的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

姚青 ;

张容川 ;

朱静 ;

王伟华 .

中国专利 :CN112501689A ,2021-03-16

[7]

一种氮化镓量子阱的外延生长方法 [P].

尹宝堂 ;

王子懿 ;

林丰旭 ;

单娟 ;

田露 .

中国专利 :CN112349817B ,2021-02-09

[8]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[9]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[10]

一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法 [P].

郭丽彬 ;

牛勇 ;

李刚 ;

刘仁锁 .

中国专利 :CN103325896A ,2013-09-25

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