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二极管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880051971.5
申请日：
2018-07-23
公开(公告)号：
CN111033758A
公开(公告)日：
2020-04-17
发明(设计)人：
佐佐木公平
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L29861
IPC分类号：
C30B2500 C30B2916 H01L2906 H01L2924 H01L2947 H01L29868 H01L29872
代理机构：
北京市隆安律师事务所 11323
代理人：
徐谦;刘宁军
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-04-17 公开 公开
2020-05-12 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20180723
共 50 条
[41]
高亮发光二极管 [P]. 
姜跃忠 .
中国专利 :CN201780985U ,2011-03-30
[42]
发光二极管结构 [P]. 
李玉柱 .
中国专利 :CN108054255B ,2018-05-18
[43]
发光二极管晶粒 [P]. 
黄建翔 ;
洪梓健 .
中国专利 :CN105870280B ,2016-08-17
[44]
发光二极管结构 [P]. 
李玉柱 .
中国专利 :CN104779328A ,2015-07-15
[45]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05
[46]
发光二极管结构 [P]. 
李玉柱 .
中国专利 :CN107968139B ,2018-04-27
[47]
可重构肖特基二极管 [P]. 
张增星 ;
盛喆 ;
余睿 .
中国专利 :CN114141884A ,2022-03-04
[48]
高效发光二极管 [P]. 
金多慧 ;
李俊熙 ;
柳宗均 ;
金彰渊 ;
林弘澈 .
中国专利 :CN102255022A ,2011-11-23
[49]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN216980588U ,2022-07-15
[50]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 .
中国专利 :CN216749923U ,2022-06-14
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