氧化铟锡层的蚀刻方法、芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010647846.X

申请日：

2020-07-07

公开(公告)号：

CN113451473A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

张彬彬苏财钰张涛苟先华林帅

申请人：

申请人地址：

402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

白雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/42 申请日:20200707

共 50 条

[1]

氧化铟锡膜及其制作方法 [P].

杨能辉 .

中国专利 :CN103031517A ,2013-04-10

[2]

氧化铟锡层的形成 [P].

黄丽丽 ;

钟志国 .

中国专利 :CN101645336B ,2010-02-10

[3]

氧化铟锡层的形成 [P].

黄丽丽 ;

钟志国 .

中国专利 :CN103173719B ,2015-04-22

[4]

氧化铟锡导电层的制备方法、氧化铟锡导电层及触摸屏 [P].

陈仕奇 ;

徐勇 .

中国专利 :CN118280652A ,2024-07-02

[5]

ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法 [P].

高俊民 ;

许键 ;

吴伟东 ;

李爱玲 ;

成涛 ;

王占伟 ;

于海莲 .

中国专利 :CN104347772A ,2015-02-11

[6]

用于氧化铟锡层的涂层 [P].

艾琳·M·豪斯 ;

马克·J·佩莱里蒂 ;

戴维·B·奥尔森 .

中国专利 :CN104884246A ,2015-09-02

[7]

水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨的制备方法 [P].

李长英 .

中国专利 :CN106590159A ,2017-04-26

[8]

ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P].

杨建国 ;

卜浩礼 ;

杨东 ;

杨天鹏 ;

陈向东 ;

郗萌 ;

邹浩洪 ;

周荣 ;

康建 .

中国专利 :CN114649457B ,2024-08-06

[9]

ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P].

杨建国 ;

卜浩礼 ;

杨东 ;

杨天鹏 ;

陈向东 ;

郗萌 ;

邹浩洪 ;

周荣 ;

康建 .

中国专利 :CN114649457A ,2022-06-21

[10]

一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法 [P].

刘伟 ;

邬新根 ;

何剑 ;

李敏华 ;

王锐 ;

王恩泽 ;

高俊 .

中国专利 :CN120603400A ,2025-09-05

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