基板冷却单元、基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080042909.7
申请日
2020-09-04
公开(公告)号
CN113966547A
公开(公告)日
2022-01-21
发明(设计)人
齐藤择弥 高桥哲 桧山真
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L21677
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
刘伟志
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基板冷却单元、基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及基板处理方法 [P]. 
齐藤择弥 ;
高桥哲 ;
桧山真 .
日本专利 :CN113966547B ,2025-08-22
[2]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
山本克彦 ;
山崎惠信 ;
佐佐木伸也 ;
道田典明 .
中国专利 :CN115699256A ,2023-02-03
[3]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
松永友树 ;
北村匡史 ;
北本博之 ;
新田贵史 .
日本专利 :CN117529796A ,2024-02-06
[4]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
川崎润一 ;
冈崎正 .
中国专利 :CN110366770A ,2019-10-22
[5]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
中谷一夫 .
中国专利 :CN113508453A ,2021-10-15
[6]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
竹林雄二 ;
岛田真一 ;
守川敦史 .
中国专利 :CN103966576A ,2014-08-06
[7]
基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
冈崎正 ;
安彦一 ;
宫田智之 ;
加我友纪直 .
中国专利 :CN111033714A ,2020-04-17
[8]
半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序 [P]. 
宫田智之 ;
安彦一 ;
川崎润一 ;
冈崎正 .
中国专利 :CN110945638A ,2020-03-31
[9]
基板处理装置、基板支承件、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序 [P]. 
小川有人 .
日本专利 :CN119654441A ,2025-03-18
[10]
冷却系统、基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品 [P]. 
高桥哲 ;
桧山真 .
日本专利 :CN121237677A ,2025-12-30