基板处理装置、基板支承件、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380058137.X

申请日：

2023-03-22

公开(公告)号：

CN119654441A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

小川有人

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C16/458

IPC分类号：

C23C16/455 H01L21/683

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/458申请日:20230322

共 50 条

[1]

基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法、程序产品及基板保持组件 [P].

西野达弥 ;

油谷幸则 .

日本专利 :CN120237083A ,2025-07-01

[2]

基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序 [P].

冈岛优作 .

中国专利 :CN114207801A ,2022-03-18

[3]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

松永友树 ;

北村匡史 ;

北本博之 ;

新田贵史 .

日本专利 :CN117529796A ,2024-02-06

[4]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

大桥直史 ;

竹田刚 ;

吉野晃生 .

日本专利 :CN118020145A ,2024-05-10

[5]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

坪田康寿 ;

中山雅则 ;

舟木克典 ;

上田立志 ;

竹岛雄一郎 ;

市村圭太 ;

井川博登 ;

山角宥贵 ;

岸本宗树 .

中国专利 :CN114788419A ,2022-07-22

[6]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

野村诚 ;

水口靖裕 ;

齐藤一人 ;

余川孝士 ;

白川真人 ;

末吉雅子 .

中国专利 :CN111033700A ,2020-04-17

[7]

基板处理装置及半导体器件的制造方法 [P].

广地志有 ;

丰田一行 ;

盛满和广 ;

佐藤武敏 ;

山本哲夫 .

中国专利 :CN104517792A ,2015-04-15

[8]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 [P].

中田高行 ;

野上孝志 ;

谷山智志 ;

上村大义 .

中国专利 :CN111463118A ,2020-07-28

[9]

基板处理装置、基板处理方法及半导体器件的制造方法 [P].

西堂周平 ;

佐佐木隆史 ;

吉田秀成 .

日本专利 :CN112823409B ,2024-10-25

[10]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 [P].

中田高行 ;

野上孝志 ;

谷山智志 ;

上村大义 .

日本专利 :CN111463118B ,2024-04-30

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