一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110268192.4

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113088925A

公开(公告)日：

2021-07-09

发明(设计)人：

李延彬吴忧张乐魏帅王忠英邵岑康健陈浩

申请人：

申请人地址：

221116 江苏省徐州市铜山新区上海路101号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16448

代理机构：

北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙) 32205

代理人：

李妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	公开	公开
2022-03-25	授权	授权
2021-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20210312

共 50 条

[1]

采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法 [P].

冯秋菊 ;

李芳 ;

李彤彤 ;

李昀铮 ;

石博 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN108286043B ,2018-07-17

[2]

采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

杨毓琪 ;

梅艺赢 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105197983B ,2015-12-30

[3]

采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

石博 ;

李昀铮 ;

王德煜 ;

高冲 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN109384258B ,2019-02-26

[4]

基于化学气相沉积法制备ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法 [P].

王文杰 ;

李现旭 ;

高东文 ;

惠诗淇 .

中国专利 :CN117604492A ,2024-02-27

[5]

化学气相沉积法制备薄膜的装置 [P].

董才士 .

中国专利 :CN1940131A ,2007-04-04

[6]

一种化学气相沉积法制备薄膜装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112267104A ,2021-01-26

[7]

一种CVD化学气相沉积法制备石墨烯薄膜专用支架 [P].

郝振亮 ;

蔡金明 ;

陈其赞 ;

黄文添 .

中国专利 :CN216838170U ,2022-06-28

[8]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[9]

一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法 [P].

崔成杰 ;

贾宇冲 ;

马俊杰 .

中国专利 :CN105734525A ,2016-07-06

[10]

基于化学气相沉积法制备ZnS整流罩的装置及方法 [P].

李冬旭 ;

李扩社 ;

宋雅 ;

刘泽钰 ;

吴浩岩 ;

刘建东 ;

徐国众 ;

石红春 ;

曹波 .

中国专利 :CN121183308A ,2025-12-23

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