采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510453146.6
申请日
2015-07-29
公开(公告)号
CN105197983B
公开(公告)日
2015-12-30
发明(设计)人
冯秋菊 刘佳媛 杨毓琪 梅艺赢 潘德柱 李梦轲
申请人
申请人地址
116029 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号
IPC主分类号
C01G1500
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
大连非凡专利事务所 21220
代理人
高学刚
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法 [P]. 
冯秋菊 ;
李芳 ;
李彤彤 ;
李昀铮 ;
石博 ;
李梦轲 .
中国专利 :CN108286043B ,2018-07-17
[2]
采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法 [P]. 
冯秋菊 ;
石博 ;
李昀铮 ;
王德煜 ;
高冲 ;
李梦轲 .
中国专利 :CN109384258B ,2019-02-26
[3]
采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法 [P]. 
冯秋菊 ;
刘洋 ;
吕佳音 ;
唐凯 ;
李梦轲 .
中国专利 :CN103695866A ,2014-04-02
[4]
磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P]. 
冯秋菊 ;
高冲 ;
解金珠 ;
董增杰 ;
孙景昌 ;
梁硕 ;
刘玮 .
中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28
[5]
一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法 [P]. 
李延彬 ;
吴忧 ;
张乐 ;
魏帅 ;
王忠英 ;
邵岑 ;
康健 ;
陈浩 .
中国专利 :CN113088925A ,2021-07-09
[6]
化学气相沉积法制备硅化钛纳米线的方法 [P]. 
杜丕一 ;
杜军 ;
郝鹏 ;
黄燕飞 ;
翁文剑 ;
韩高荣 ;
赵高凌 .
中国专利 :CN100356522C ,2006-08-23
[7]
一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P]. 
冯秋菊 ;
董增杰 ;
梁硕 ;
刘玮 ;
俞琛 ;
宜子琪 .
中国专利 :CN114291839A ,2022-04-08
[8]
基于化学气相沉积法制备ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法 [P]. 
王文杰 ;
李现旭 ;
高东文 ;
惠诗淇 .
中国专利 :CN117604492A ,2024-02-27
[9]
一种采用化学气相沉积方法制备Sb掺杂SnO<sub>2</sub>微米线的方法 [P]. 
冯秋菊 ;
王硕 ;
杨壹涵 ;
王彦明 ;
隋雪 ;
石佳辉 .
中国专利 :CN119465077A ,2025-02-18
[10]
自诱导化学气相沉积法制备氧化钛纳米线的方法 [P]. 
杜军 ;
黄晶晶 ;
余雁斌 ;
肖昭强 ;
石佳光 ;
罗美 ;
张文龙 ;
彭海龙 ;
邹建国 .
中国专利 :CN102400220A ,2012-04-04