一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210013593.X

申请日：

2022-01-07

公开(公告)号：

CN114291839A

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

冯秋菊董增杰梁硕刘玮俞琛宜子琪

申请人：

申请人地址：

116000 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

大连非凡专利事务所 21220

代理人：

闪红霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低成本超细β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

董增杰 ;

梁硕 ;

刘玮 ;

俞琛 ;

宜子琪 .

中国专利 :CN114291839B ,2024-02-02

[2]

β‑Ga2O3微米带的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

杨毓琪 ;

李芳 ;

李彤彤 .

中国专利 :CN107140681A ,2017-09-08

[3]

自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

徐坤 ;

杨毓琪 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105481002B ,2016-04-13

[4]

一种β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111218647A ,2020-06-02

[5]

采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

杨毓琪 ;

梅艺赢 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105197983B ,2015-12-30

[6]

磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

高冲 ;

解金珠 ;

董增杰 ;

孙景昌 ;

梁硕 ;

刘玮 .

中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28

[7]

采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

石博 ;

李昀铮 ;

王德煜 ;

高冲 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN109384258B ,2019-02-26

[8]

采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法 [P].

冯秋菊 ;

李芳 ;

李彤彤 ;

李昀铮 ;

石博 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN108286043B ,2018-07-17

[9]

一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

刘宝丹 ;

张偲 ;

李晶 ;

张兴来 .

中国专利 :CN111811645B ,2020-10-23

[10]

硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

黄健 ;

顾克云 ;

尚艺 ;

邓洁 ;

刘尊 ;

张志洛 ;

丁可可 ;

张子龙 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN113658852A ,2021-11-16

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