硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110853195.4

申请日：

2021-07-27

公开(公告)号：

CN113658852A

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

黄健顾克云尚艺邓洁刘尊张志洛丁可可张子龙唐可王林军

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31032 C23C1402 C23C1408 C23C1416 C23C1434 C23C1435 C23C1454 C23C1458

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210727
2021-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基尺寸可控β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的制备方法 [P].

黄健 ;

顾克云 ;

尚艺 ;

邓洁 ;

刘尊 ;

张志洛 ;

丁可可 ;

张子龙 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN113658852B ,2025-05-30

[2]

一种β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111218647A ,2020-06-02

[3]

一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法 [P].

张培根 ;

唐静雯 ;

孙正明 ;

陈坚 ;

刘玉爽 ;

张亚梅 ;

田无边 .

中国专利 :CN109811399B ,2019-05-28

[4]

一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

刘宝丹 ;

张偲 ;

李晶 ;

张兴来 .

中国专利 :CN111811645B ,2020-10-23

[5]

一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

董增杰 ;

梁硕 ;

刘玮 ;

俞琛 ;

宜子琪 .

中国专利 :CN114291839A ,2022-04-08

[6]

尺寸可控的金属纳米线的制备方法 [P].

许巧玲 ;

孟国文 ;

吴学邦 ;

魏青 ;

孔明光 ;

张立德 .

中国专利 :CN101559492A ,2009-10-21

[7]

一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法 [P].

杨为佑 ;

张冬冬 ;

余浩 .

中国专利 :CN112010342A ,2020-12-01

[8]

一种γ-Ga2O3纳米材料的制备方法 [P].

杨为佑 ;

张冬冬 ;

余浩 .

中国专利 :CN114787084A ,2022-07-22

[9]

垂直Ga2O3纳米管有序阵列及其制备方法 [P].

修向前 ;

张丽颖 ;

谢自力 ;

张荣 .

中国专利 :CN113044809B ,2021-06-29

[10]

一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法 [P].

罗林保 ;

揭建胜 ;

聂彪 ;

吴春艳 ;

于永强 .

中国专利 :CN102556949A ,2012-07-11

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