一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010745842.5

申请日：

2020-07-29

公开(公告)号：

CN112010342A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

杨为佑张冬冬余浩

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路201号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243

代理人：

王玲华;洪珊珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	公开	公开
2020-12-18	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01G 15/00 申请公布日:20201201

共 50 条

[1]

一种γ-Ga2O3纳米材料的制备方法 [P].

杨为佑 ;

张冬冬 ;

余浩 .

中国专利 :CN114787084A ,2022-07-22

[2]

一种制备纳米Ga2O3粉末的方法 [P].

林乐洪 ;

李丹阳 ;

章林 ;

龚亚云 ;

刘瑞 .

中国专利 :CN103708533A ,2014-04-09

[3]

一种β‑Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法 [P].

辛柏福 ;

周长青 ;

陈鹏刚 ;

王虹 ;

吴杰 .

中国专利 :CN104549397B ,2015-04-29

[4]

硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

黄健 ;

顾克云 ;

尚艺 ;

邓洁 ;

刘尊 ;

张志洛 ;

丁可可 ;

张子龙 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN113658852A ,2021-11-16

[5]

GaN/β－Ga2O3复合衬底的材料及其制备方法 [P].

吴锋 ;

夏长泰 ;

张俊刚 ;

徐军 .

中国专利 :CN1694225A ,2005-11-09

[6]

一种钽掺杂Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法 [P].

黄健 ;

邓洁 ;

黄浩斐 ;

王梦倩 ;

王世琳 ;

刘尊 ;

顾客云 ;

李洪伟 ;

丽娜.阿扎提 ;

张磊 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN115558890A ,2023-01-03

[7]

一种Co2O3纳米片及其制备方法 [P].

杨瑞嵩 ;

崔学军 ;

刘春海 ;

陈世文 ;

杨森 ;

胡勇 ;

王静婷 .

中国专利 :CN106629869B ,2017-05-10

[8]

一种高分散α-Al2O3纳米片的制备方法 [P].

聂龙辉 .

中国专利 :CN104402029A ,2015-03-11

[9]

一种制备γ-Fe2O3纳米片的方法 [P].

庞广生 ;

徐曼 ;

焦世惠 .

中国专利 :CN103274476B ,2013-09-04

[10]

一种纳米金属氧化物的制备方法 [P].

杨为佑 ;

张冬冬 ;

余浩 .

中国专利 :CN113479849A ,2021-10-08

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