一种钽掺杂Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法

被引：0

申请号：

CN202211379912.5

申请日：

2022-11-04

公开(公告)号：

CN115558890A

公开(公告)日：

2023-01-03

发明(设计)人：

黄健邓洁黄浩斐王梦倩王世琳刘尊顾客云李洪伟丽娜.阿扎提张磊唐可王林军

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1435 C23C1458

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备方法及相应的结构 [P].

郭道友 ;

吴超 ;

贺晨冉 ;

王顺利 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109957759A ,2019-07-02

[2]

一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

刘宝丹 ;

张偲 ;

李晶 ;

张兴来 .

中国专利 :CN111811645B ,2020-10-23

[3]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

李炳辉 ;

张振中 .

中国专利 :CN111710591A ,2020-09-25

[4]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111710592B ,2020-09-25

[5]

一种基于共溅射Si掺杂的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜制备方法 [P].

施政 ;

高翔 ;

高绪敏 ;

黄晓明 .

中国专利 :CN117535623A ,2024-02-09

[6]

Ga2O3薄膜晶体管的制备方法 [P].

张春福 ;

许育 ;

张进成 ;

郝跃 ;

常晶晶 ;

于雪婷 ;

吴艺聪 ;

张力鑫 .

中国专利 :CN107946176A ,2018-04-20

[7]

磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

高冲 ;

解金珠 ;

董增杰 ;

孙景昌 ;

梁硕 ;

刘玮 .

中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28

[8]

硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

黄健 ;

顾克云 ;

尚艺 ;

邓洁 ;

刘尊 ;

张志洛 ;

丁可可 ;

张子龙 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN113658852A ,2021-11-16

[9]

一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

郑树文 ;

郑涛 ;

尚秋月 ;

李述体 .

中国专利 :CN109082631A ,2018-12-25

[10]

一种制备β-Ga2O3微米带的方法 [P].

蒋毅坚 ;

潘永漫 ;

闫胤洲 ;

王强 .

中国专利 :CN115321584A ,2022-11-11

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