自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510735744.2

申请日：

2015-11-03

公开(公告)号：

CN105481002B

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

冯秋菊刘佳媛徐坤杨毓琪潘德柱李梦轲

申请人：

申请人地址：

116029 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

代理机构：

大连非凡专利事务所 21220

代理人：

闪红霞

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01G 15/00 登记生效日:20181224 变更事项:专利权人变更前权利人:辽宁师范大学变更后权利人:何海华变更事项:地址变更前权利人:116029 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号变更后权利人:210000 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号
2017-04-19	授权	授权
2019-06-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01G 15/00 登记生效日:20190529 变更事项:专利权人变更前权利人:何海华变更后权利人:南通全昂等离子体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:210000 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号变更后权利人:226000 江苏省南通市高新区世纪大道266号
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659562266 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2015107357442 申请日:20151103
2016-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

β‑Ga2O3微米带的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

杨毓琪 ;

李芳 ;

李彤彤 .

中国专利 :CN107140681A ,2017-09-08

[2]

采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

石博 ;

李昀铮 ;

王德煜 ;

高冲 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN109384258B ,2019-02-26

[3]

磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

高冲 ;

解金珠 ;

董增杰 ;

孙景昌 ;

梁硕 ;

刘玮 .

中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28

[4]

一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

董增杰 ;

梁硕 ;

刘玮 ;

俞琛 ;

宜子琪 .

中国专利 :CN114291839A ,2022-04-08

[5]

一种低成本超细β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

董增杰 ;

梁硕 ;

刘玮 ;

俞琛 ;

宜子琪 .

中国专利 :CN114291839B ,2024-02-02

[6]

采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

杨毓琪 ;

梅艺赢 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105197983B ,2015-12-30

[7]

一种无催化剂生长β-Ga2O3纳米线的方法 [P].

谢超 ;

陆星彤 ;

马梦茹 ;

罗林保 .

中国专利 :CN110217815A ,2019-09-10

[8]

采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法 [P].

冯秋菊 ;

李芳 ;

李彤彤 ;

李昀铮 ;

石博 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN108286043B ,2018-07-17

[9]

一种β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111218647A ,2020-06-02

[10]

采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法 [P].

苏杰 ;

刘彤 ;

刘京明 ;

赵有文 .

中国专利 :CN107400919A ,2017-11-28

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