采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610333352.8

申请日：

2016-05-19

公开(公告)号：

CN107400919A

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

苏杰刘彤刘京明赵有文

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C30B2916

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-28	公开	公开
2020-01-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 25/00 申请公布日:20171128
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20160519

共 49 条

[1]

闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 [P].

赵有文 ;

董志远 ;

段满龙 ;

魏学成 .

中国专利 :CN1978713A ,2007-06-13

[2]

采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

石博 ;

李昀铮 ;

王德煜 ;

高冲 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN109384258B ,2019-02-26

[3]

采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法 [P].

冯秋菊 ;

李芳 ;

李彤彤 ;

李昀铮 ;

石博 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN108286043B ,2018-07-17

[4]

β‑Ga2O3微米带的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

杨毓琪 ;

李芳 ;

李彤彤 .

中国专利 :CN107140681A ,2017-09-08

[5]

自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

徐坤 ;

杨毓琪 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105481002B ,2016-04-13

[6]

采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法 [P].

冯秋菊 ;

刘佳媛 ;

杨毓琪 ;

梅艺赢 ;

潘德柱 ;

李梦轲 .

中国专利 :CN105197983B ,2015-12-30

[7]

基于化学气相传输法制备Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se晶体的方法 [P].

詹达 ;

毕聪智 ;

闫家旭 ;

景鹏涛 ;

鲍洋 ;

徐辑廉 ;

徐海 ;

刘雷 ;

申德振 .

中国专利 :CN118996614A ,2024-11-22

[8]

磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

高冲 ;

解金珠 ;

董增杰 ;

孙景昌 ;

梁硕 ;

刘玮 .

中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28

[9]

一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法 [P].

张华伟 ;

施尔畏 ;

陈之战 .

中国专利 :CN101200808A ,2008-06-18

[10]

一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法 [P].

李延彬 ;

吴忧 ;

张乐 ;

魏帅 ;

王忠英 ;

邵岑 ;

康健 ;

陈浩 .

中国专利 :CN113088925A ,2021-07-09

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