一种铝量子阱激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110628970.6

申请日：

2021-06-07

公开(公告)号：

CN113078553A

公开(公告)日：

2021-07-06

发明(设计)人：

张海超穆瑶师宇晨李马惠潘彦廷

申请人：

申请人地址：

712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区

IPC主分类号：

H01S512

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

马贵香

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	公开	公开
2021-08-13	授权	授权
2021-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/12 申请日:20210607

共 50 条

[1]

量子阱激光器及其制备方法 [P].

吕晨 ;

李贞耀 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN119560889A ,2025-03-04

[2]

波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法 [P].

张海超 ;

师宇晨 ;

穆瑶 .

中国专利 :CN114540785B ,2022-05-27

[3]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04

[4]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04

[5]

一种半导体量子阱激光器及其制备方法 [P].

林琦 ;

林中晞 ;

赵晓凡 ;

朱振国 ;

钟杏丽 ;

苏辉 .

中国专利 :CN113708219A ,2021-11-26

[6]

一种半导体量子阱激光器及其制备方法 [P].

林琦 ;

林中晞 ;

赵晓凡 ;

朱振国 ;

钟杏丽 ;

苏辉 .

中国专利 :CN113708219B ,2025-07-11

[7]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[8]

长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 [P].

曾徐路 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

于淑珍 ;

赵勇明 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103280695B ,2013-09-04

[9]

InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 [P].

郭志友 ;

侯玉菲 ;

孙慧卿 ;

汪鑫 ;

张秀 ;

龚星 ;

徐智鸿 ;

刘天意 .

中国专利 :CN107579432B ,2018-01-12

[10]

一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法 [P].

罗军 ;

高海粟 ;

许静 ;

李彬鸿 .

中国专利 :CN117895334A ,2024-04-16

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