一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510821595.1

申请日：

2015-11-23

公开(公告)号：

CN105429002A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

仇伯仓胡海

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市南山区西丽茶光路中1089号深圳集成电路设计应用产业园40

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

李庆波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656307241 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2015108215951 申请日:20151123
2016-03-23	公开	公开
2017-07-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移变更后权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽茶光路中1089号深圳集成电路设计应用产业园507 变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:深圳清华大学研究院号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756240089 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2015108215951 登记生效日:20170707 变更事项:申请人变更前权利人:深圳瑞波光电子有限公司变更后权利人:深圳瑞波光电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518052 广东省深圳市南山区西丽茶光路中1089号深圳集成电路设计应用产业园40
2018-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04

[2]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04

[3]

一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105470813A ,2016-04-06

[4]

一种量子阱层结构及半导体激光器 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN211088742U ,2020-07-24

[5]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[6]

一种半导体量子阱激光器 [P].

林琦 ;

林中晞 ;

赵晓凡 ;

朱振国 ;

钟杏丽 ;

苏辉 .

中国专利 :CN216699079U ,2022-06-07

[7]

量子阱结构、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN215185003U ,2021-12-14

[8]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[9]

一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN110600996A ,2019-12-20

[10]

一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN110600996B ,2024-05-14

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