量子阱激光器外延结构及量子阱激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311126015.8

申请日：

2023-09-01

公开(公告)号：

CN119560888A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

余红光牛智川杨成奥徐应强张宇倪海桥陈益航王天放石建美

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/34

IPC分类号：

H01S5/343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王文思

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权
2025-03-04	公开	公开
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/34申请日:20230901

共 50 条

[1]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04

[2]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[3]

量子阱结构、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN215185003U ,2021-12-14

[4]

一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105470813A ,2016-04-06

[5]

选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器 [P].

陈志标 .

中国专利 :CN110854679A ,2020-02-28

[6]

量子阱激光器及其制备方法 [P].

吕晨 ;

李贞耀 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN119560889A ,2025-03-04

[7]

量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN112636179B ,2025-11-21

[8]

量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN112636179A ,2021-04-09

[9]

InP－基多量子阱激光器 [P].

G·兰德格伦 ;

C·斯尔夫文朱斯 .

中国专利 :CN1299527A ,2001-06-13

[10]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

← 1 2 3 4 5 →