选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910941392.4

申请日：

2019-09-30

公开(公告)号：

CN110854679A

公开(公告)日：

2020-02-28

发明(设计)人：

陈志标

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

G01B1506

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

代婵

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-28	公开	公开
2020-11-17	授权	授权
2020-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/34 申请日:20190930
2022-11-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01S 5/34 变更事项:专利权人变更前:武汉云岭光电有限公司变更后:武汉云岭光电股份有限公司变更事项:地址变更前:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5 变更后:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室

共 50 条

[1]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04

[2]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04

[3]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[4]

一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105470813A ,2016-04-06

[5]

InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 [P].

郭志友 ;

侯玉菲 ;

孙慧卿 ;

汪鑫 ;

张秀 ;

龚星 ;

徐智鸿 ;

刘天意 .

中国专利 :CN107579432B ,2018-01-12

[6]

量子阱激光器及其制备方法 [P].

吕晨 ;

李贞耀 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN119560889A ,2025-03-04

[7]

量子阱结构、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN215185003U ,2021-12-14

[8]

InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 [P].

田爱琴 ;

刘建平 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785919B ,2017-05-31

[9]

大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 [P].

罗帅 ;

季海铭 ;

杨涛 .

中国专利 :CN104638516A ,2015-05-20

[10]

量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 .

中国专利 :CN112636179B ,2025-11-21

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