InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610945995.8

申请日：

2016-10-26

公开(公告)号：

CN106785919B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

田爱琴刘建平张书明李德尧张立群杨辉

申请人：

申请人地址：

310026 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰;武岑飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2020-05-26	授权	授权
2018-09-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01S 5/343 登记生效日:20180824 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所变更后权利人:杭州增益光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号变更后权利人:310026 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729315218 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2016109459958 申请日:20161026

共 50 条

[1]

InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 [P].

郭志友 ;

侯玉菲 ;

孙慧卿 ;

汪鑫 ;

张秀 ;

龚星 ;

徐智鸿 ;

刘天意 .

中国专利 :CN107579432B ,2018-01-12

[2]

GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 [P].

舒斌 ;

范林西 ;

吴继宝 ;

陈景明 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 .

中国专利 :CN105610047A ,2016-05-25

[3]

选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器 [P].

陈志标 .

中国专利 :CN110854679A ,2020-02-28

[4]

量子级联激光器及其制作方法 [P].

翟慎强 ;

孙永强 ;

费腾 ;

张锦川 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 .

中国专利 :CN114865457A ,2022-08-05

[5]

FP腔GaN基激光器及其制作方法 [P].

张琪 ;

张书明 ;

李德尧 ;

刘建平 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111146689A ,2020-05-12

[6]

GaN基新型结构激光器及其制作方法 [P].

孙慧卿 ;

汪鑫 ;

郭志友 ;

张秀 ;

侯玉菲 ;

龚星 ;

徐智鸿 ;

刘天意 .

中国专利 :CN107742825A ,2018-02-27

[7]

量子阱激光器及其制备方法 [P].

吕晨 ;

李贞耀 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN119560889A ,2025-03-04

[8]

一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器及其制备方法 [P].

侯玉菲 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

陈平 ;

杨静 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN113422293B ,2021-09-21

[9]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04

[10]

一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法 [P].

罗军 ;

高海粟 ;

许静 ;

李彬鸿 .

中国专利 :CN117895334A ,2024-04-16

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