GaN基新型结构激光器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711020759.6

申请日：

2017-10-26

公开(公告)号：

CN107742825A

公开(公告)日：

2018-02-27

发明(设计)人：

孙慧卿汪鑫郭志友张秀侯玉菲龚星徐智鸿刘天意

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西5号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S534

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

林伟斌;郑永泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-27	公开	公开
2020-12-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/343 申请公布日:20180227
2018-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20171026

共 50 条

[1]

FP腔GaN基激光器及其制作方法 [P].

张琪 ;

张书明 ;

李德尧 ;

刘建平 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111146689A ,2020-05-12

[2]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

赵德刚 ;

梁锋 .

中国专利 :CN107204567B ,2017-09-26

[3]

InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 [P].

田爱琴 ;

刘建平 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785919B ,2017-05-31

[4]

GaN基激光器及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

张和伟 ;

郭志友 .

中国专利 :CN109346923A ,2019-02-15

[5]

激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

郭娟 .

中国专利 :CN117613663B ,2024-05-10

[6]

激光器及其制作方法 [P].

蒋成 ;

张子旸 .

中国专利 :CN114079228B ,2024-06-04

[7]

激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

郭娟 ;

韩宇 .

中国专利 :CN120810370A ,2025-10-17

[8]

激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

郭娟 .

中国专利 :CN117613663A ,2024-02-27

[9]

激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

梁松 ;

唐强 ;

刘云龙 ;

张立晨 ;

朱旭愿 .

中国专利 :CN111711074A ,2020-09-25

[10]

激光器及其制作方法 [P].

蒋成 ;

张子旸 .

中国专利 :CN114079228A ,2022-02-22

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