GaN基新型结构激光器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711020759.6

申请日：

2017-10-26

公开(公告)号：

CN107742825A

公开(公告)日：

2018-02-27

发明(设计)人：

孙慧卿汪鑫郭志友张秀侯玉菲龚星徐智鸿刘天意

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西5号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S534

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

林伟斌;郑永泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-27	公开	公开
2020-12-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/343 申请公布日:20180227
2018-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20171026

共 50 条

[41]

量子级联激光器及其制作方法 [P].

翟慎强 ;

孙永强 ;

费腾 ;

张锦川 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 .

中国专利 :CN114865457A ,2022-08-05

[42]

可调谐激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

梁松 ;

唐强 ;

刘云龙 ;

张立晨 ;

朱旭愿 .

中国专利 :CN111711071B ,2020-09-25

[43]

晶体光纤激光器及其制作方法 [P].

霍玉晶 ;

李敢生 ;

段玉生 ;

郭喜彬 ;

周炳琨 ;

施真珠 .

中国专利 :CN1067530A ,1992-12-30

[44]

限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

王俊 ;

谭少阳 ;

廖新胜 ;

潘华东 ;

李泉灵 .

中国专利 :CN111682403A ,2020-09-18

[45]

氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 [P].

曾畅 ;

张书明 ;

刘建平 ;

王辉 ;

冯美鑫 ;

李增成 ;

王怀兵 ;

杨辉 .

中国专利 :CN102299482B ,2011-12-28

[46]

高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法 [P].

张书明 ;

冯美鑫 ;

孙钱 .

中国专利 :CN118040475A ,2024-05-14

[47]

光纤激光器制作方法 [P].

魏海彬 ;

张琇滨 ;

龚凯 ;

李京波 ;

郝明明 ;

魏佳涛 .

中国专利 :CN107565351A ,2018-01-09

[48]

氮化镓基半导体激光器及其制作方法 [P].

任霄钰 ;

李德尧 ;

刘建平 ;

张立群 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111384663A ,2020-07-07

[49]

一种GaN基激光器及其制备方法 [P].

王国斌 ;

王阳 .

中国专利 :CN116111455B ,2024-12-13

[50]

氮化镓基蓝光激光器的制作方法 [P].

李慧 ;

种明 .

中国专利 :CN101132111A ,2008-02-27

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