限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010574282.1

申请日：

2020-06-22

公开(公告)号：

CN111682403A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

程洋王俊谭少阳廖新胜潘华东李泉灵

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋

IPC主分类号：

H01S520

IPC分类号：

H01S522

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

张乐乐

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/20 变更事项:申请人变更前:苏州长光华芯光电技术有限公司变更后:苏州长光华芯光电技术股份有限公司变更事项:地址变更前:215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋变更后:215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 变更事项:申请人变更前:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司变更后:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
2021-04-20	授权	授权
2020-09-18	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/20 申请日:20200622

共 50 条

[1]

半导体激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

龙浩 ;

郭娟 .

中国专利 :CN114421280B ,2022-04-29

[2]

接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

王俊 ;

李泉灵 ;

谭少阳 ;

潘华东 ;

廖新胜 .

中国专利 :CN111682400B ,2020-09-18

[3]

半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

刘建平 ;

田爱琴 ;

冯美鑫 ;

张峰 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785912B ,2017-05-31

[4]

半导体激光器及其制作方法 [P].

永井丰 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1093836A ,1994-10-19

[5]

半导体激光器及其制作方法 [P].

黄莹 ;

刘建平 ;

程洋 ;

黄思溢 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106887789A ,2017-06-23

[6]

半导体激光器及其制作方法 [P].

木户口勲 ;

足立秀人 ;

熊渕康仁 ;

鬼头雅弘 ;

夈雅博 .

中国专利 :CN1189927A ,1998-08-05

[7]

半导体激光器及其制作方法 [P].

梁松 ;

剌晓波 .

中国专利 :CN111244756B ,2020-06-05

[8]

掩埋结构半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN115133402B ,2024-08-27

[9]

掩埋结构半导体激光器及其制作方法 [P].

剌晓波 ;

李振宇 ;

梁松 .

中国专利 :CN115133402A ,2022-09-30

[10]

半导体激光器装置及其制作方法 [P].

玄永康一 ;

田中明 ;

伊藤义行 ;

渡边实 ;

奥田肇 .

中国专利 :CN1404191A ,2003-03-19

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