InP－基多量子阱激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99805881.5

申请日：

1999-05-07

公开(公告)号：

CN1299527A

公开(公告)日：

2001-06-13

发明(设计)人：

G·兰德格伦 C·斯尔夫文朱斯

申请人：

申请人地址：

瑞典斯德哥尔摩

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

梁永;傅康

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-06-13	公开	公开
2004-11-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-08-08	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[2]

长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 [P].

曾徐路 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

于淑珍 ;

赵勇明 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103280695B ,2013-09-04

[3]

低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 [P].

杨静 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

梁锋 .

中国专利 :CN109873299B ,2019-06-11

[4]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04

[5]

量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P].

余红光 ;

牛智川 ;

杨成奥 ;

徐应强 ;

张宇 ;

倪海桥 ;

陈益航 ;

王天放 ;

石建美 .

中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04

[6]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[7]

用于在高温下操作的多量子阱激光器及其附加电子抑制层 [P].

P·杜西耶 .

美国专利 :CN109149364B ,2024-06-11

[8]

使用单片集成多量子阱激光器和相位调制器的光电振荡器 [P].

阿贾伊·库马尔·波达尔 ;

乌尔里希·L·罗德 ;

阿夫申·S·达尤什 .

中国专利 :CN112654915A ,2021-04-13

[9]

使用单片集成多量子阱激光器和相位调制器的光电振荡器 [P].

阿贾伊·库马尔·波达尔 ;

乌尔里希·L·罗德 ;

阿夫申·S·达尤什 .

美国专利 :CN112654915B ,2024-05-28

[10]

GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 [P].

舒斌 ;

范林西 ;

吴继宝 ;

陈景明 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 .

中国专利 :CN105610047A ,2016-05-25

← 1 2 3 4 5 →