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低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910116788.5
申请日：
2019-02-14
公开(公告)号：
CN109873299B
公开(公告)日：
2019-06-11
发明(设计)人：
杨静 赵德刚 朱建军 陈平 刘宗顺 梁锋
申请人：
申请人地址：
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号：
H01S5343
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
周天宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-07-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20190214
2019-06-11 公开 公开
2020-02-21 授权 授权
共 50 条
[1]
InP－基多量子阱激光器 [P]. 
G·兰德格伦 ;
C·斯尔夫文朱斯 .
中国专利 :CN1299527A ,2001-06-13
[2]
量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P]. 
余红光 ;
牛智川 ;
杨成奥 ;
徐应强 ;
张宇 ;
倪海桥 ;
陈益航 ;
王天放 ;
石建美 .
中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04
[3]
量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P]. 
余红光 ;
牛智川 ;
杨成奥 ;
徐应强 ;
张宇 ;
倪海桥 ;
陈益航 ;
王天放 ;
石建美 .
中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04
[4]
长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 [P]. 
曾徐路 ;
董建荣 ;
李奎龙 ;
孙玉润 ;
于淑珍 ;
赵勇明 ;
赵春雨 ;
杨辉 .
中国专利 :CN103280695B ,2013-09-04
[5]
高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法 [P]. 
赵德刚 ;
杨静 .
中国专利 :CN105789393B ,2016-07-20
[6]
一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法 [P]. 
单恒升 ;
徐超明 ;
刘胜威 ;
梅云俭 ;
尚林 ;
马淑芳 ;
许并社 .
中国专利 :CN113964217B ,2024-12-27
[7]
一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法 [P]. 
单恒升 ;
徐超明 ;
刘胜威 ;
梅云俭 ;
尚林 ;
马淑芳 ;
许并社 .
中国专利 :CN113964217A ,2022-01-21
[8]
选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器 [P]. 
陈志标 .
中国专利 :CN110854679A ,2020-02-28
[9]
一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统 [P]. 
汪连山 ;
吕志勤 .
中国专利 :CN202631646U ,2012-12-26
[10]
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法 [P]. 
张荣 ;
智婷 ;
陶涛 ;
谢自力 ;
万图图 ;
叶展圻 ;
刘斌 ;
修向前 ;
李毅 ;
韩平 ;
施毅 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN103094434B ,2013-05-08
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