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量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011606707.9
申请日：
2020-12-30
公开(公告)号：
CN112636179A
公开(公告)日：
2021-04-09
发明(设计)人：
杨彦伟 刘宏亮 邹颜
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼
IPC主分类号：
H01S5343
IPC分类号：
H01S512
代理机构：
深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481
代理人：
艾青;牛悦涵
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-09 公开 公开
2021-04-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20201230
共 50 条
[1]
量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器 [P]. 
杨彦伟 ;
刘宏亮 ;
邹颜 .
中国专利 :CN112636179B ,2025-11-21
[2]
量子阱结构、芯片及激光器 [P]. 
杨彦伟 ;
刘宏亮 ;
邹颜 .
中国专利 :CN215185003U ,2021-12-14
[3]
量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P]. 
余红光 ;
牛智川 ;
杨成奥 ;
徐应强 ;
张宇 ;
倪海桥 ;
陈益航 ;
王天放 ;
石建美 .
中国专利 :CN119560888A ,2025-03-04
[4]
量子阱激光器外延结构及量子阱激光器 [P]. 
余红光 ;
牛智川 ;
杨成奥 ;
徐应强 ;
张宇 ;
倪海桥 ;
陈益航 ;
王天放 ;
石建美 .
中国专利 :CN119560888B ,2025-11-04
[5]
芯片加工方法、芯片及激光器 [P]. 
杨彦伟 ;
刘宏亮 ;
邹颜 .
中国专利 :CN112636176A ,2021-04-09
[6]
一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片结构 [P]. 
李林森 .
中国专利 :CN106877173A ,2017-06-20
[7]
一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P]. 
仇伯仓 ;
胡海 .
中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23
[8]
芯片及激光器 [P]. 
杨彦伟 ;
刘宏亮 ;
邹颜 .
中国专利 :CN213989555U ,2021-08-17
[9]
激光器芯片结构、芯片及激光发射装置 [P]. 
克里斯托弗.大卫.华生 ;
吴芳 .
中国专利 :CN217985076U ,2022-12-06
[10]
激光器芯片的制造方法及激光器芯片 [P]. 
陈长安 ;
郑兆祯 .
中国专利 :CN111326949A ,2020-06-23
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