一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910917266.5

申请日：

2019-09-26

公开(公告)号：

CN110600996B

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

颜建黄勇胡双元

申请人：

苏州矩阵光电有限公司

申请人地址：

215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇科创园D栋，矩阵光电

IPC主分类号：

H01S5/343

IPC分类号：

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

李博洋

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN110600996A ,2019-12-20

[2]

一种量子阱层结构及半导体激光器 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN211088742U ,2020-07-24

[3]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[4]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[5]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[6]

半导体激光器量子阱混杂装置及半导体激光器制备工艺 [P].

李宁 ;

冷祥 ;

魏明 .

中国专利 :CN121055156A ,2025-12-02

[7]

一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 [P].

马淑芳 ;

许并社 ;

李学敏 ;

韩蕊蕊 ;

田海军 ;

吴小强 .

中国专利 :CN103779786A ,2014-05-07

[8]

一种半导体激光器制备方法及半导体激光器 [P].

张继宇 ;

徐荣靖 ;

郑志川 ;

李颖 ;

魏文超 ;

刘中华 ;

柴志颖 ;

吴昊东 ;

倪静 ;

张宇 ;

王凯 .

中国专利 :CN119134044A ,2024-12-13

[9]

一种半导体激光器制备方法及半导体激光器 [P].

张继宇 ;

徐荣靖 ;

郑志川 ;

李颖 ;

魏文超 ;

刘中华 ;

柴志颖 ;

吴昊东 ;

倪静 ;

张宇 ;

王凯 .

中国专利 :CN119134044B ,2025-04-08

[10]

一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器 [P].

郭丽彬 ;

周大勇 ;

杨慧永 ;

祝曾伟 ;

顾俊 ;

赵文超 .

中国专利 :CN117080869B ,2024-01-02

← 1 2 3 4 5 →