一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310680505.2

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN103779786A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

马淑芳许并社李学敏韩蕊蕊田海军吴小强

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742583257 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2013106805052 申请公布日:20140507
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582741779 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2013106805052 申请日:20131212
2014-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种量子阱层结构及半导体激光器 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN211088742U ,2020-07-24

[2]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[3]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN205622044U ,2016-10-05

[4]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN105633797A ,2016-06-01

[5]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[6]

一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN110600996A ,2019-12-20

[7]

一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法 [P].

颜建 ;

黄勇 ;

胡双元 .

中国专利 :CN110600996B ,2024-05-14

[8]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[9]

一种具有量子霍尔电导层的半导体激光器 [P].

郑锦坚 ;

蔡鑫 ;

李晓琴 ;

张会康 ;

黄军 ;

蒙磊 ;

王星河 .

中国专利 :CN117937246A ,2024-04-26

[10]

一种具有量子限域效应量子阱的半导体激光器 [P].

邓和清 ;

郑锦坚 ;

寻飞林 ;

李水清 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

张会康 .

中国专利 :CN118099942A ,2024-05-28

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