一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610168707.2
申请日
2016-03-22
公开(公告)号
CN105633797A
公开(公告)日
2016-06-01
发明(设计)人
潘旭 张露 吴波 张小宾 杨翠柏
申请人
申请人地址
528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
IPC主分类号
H01S5343
IPC分类号
代理机构
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人
梁莹
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P]. 
潘旭 ;
张露 ;
吴波 ;
张小宾 ;
杨翠柏 .
中国专利 :CN205622044U ,2016-10-05
[2]
半导体激光器用外延片 [P]. 
马淑芳 ;
田海军 ;
吴小强 ;
梁建 ;
董海亮 .
中国专利 :CN204927806U ,2015-12-30
[3]
大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 [P]. 
王俊 ;
马骁宇 ;
林涛 ;
郑凯 ;
王勇刚 .
中国专利 :CN1917313A ,2007-02-21
[4]
高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构 [P]. 
王俊 ;
马骁宇 ;
郑凯 ;
林涛 ;
王勇刚 .
中国专利 :CN1901301A ,2007-01-24
[5]
一种半导体激光器外延片及其制造方法 [P]. 
许并社 ;
李学敏 ;
马淑芳 ;
田海军 ;
吴小强 .
中国专利 :CN103715605A ,2014-04-09
[6]
大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 [P]. 
史慧玲 ;
郑凯 .
中国专利 :CN101114757A ,2008-01-30
[7]
半导体激光器用外延片及其制备方法 [P]. 
马淑芳 ;
田海军 ;
吴小强 ;
梁建 ;
董海亮 .
中国专利 :CN105071223A ,2015-11-18
[8]
多量子阱半导体激光器 [P]. 
张普 ;
刘兴胜 ;
熊玲玲 ;
王贞福 ;
刘晖 ;
聂志强 .
中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30
[9]
一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 [P]. 
马淑芳 ;
许并社 ;
李学敏 ;
韩蕊蕊 ;
田海军 ;
吴小强 .
中国专利 :CN103779786A ,2014-05-07
[10]
一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 [P]. 
王俊 ;
马骁宇 .
中国专利 :CN1866652A ,2006-11-22