半导体激光器用外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510583257.9

申请日：

2015-09-14

公开(公告)号：

CN105071223A

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

马淑芳田海军吴小强梁建董海亮

申请人：

申请人地址：

041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村飞虹科技

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101637744123 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2015105832579 申请日:20150914
2018-07-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S 5/343 申请公布日:20151118
2015-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光器用外延片 [P].

马淑芳 ;

田海军 ;

吴小强 ;

梁建 ;

董海亮 .

中国专利 :CN204927806U ,2015-12-30

[2]

一种半导体激光器外延片及其制造方法 [P].

许并社 ;

李学敏 ;

马淑芳 ;

田海军 ;

吴小强 .

中国专利 :CN103715605A ,2014-04-09

[3]

GaAs半导体激光器外延片及其制备方法 [P].

于颖 ;

吴德华 ;

赵凯迪 ;

朱凯 ;

贾鑫 .

中国专利 :CN120638033A ,2025-09-12

[4]

一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器 [P].

龚平 ;

刘邦 ;

夏天文 ;

吴旗召 ;

杨宇博 .

中国专利 :CN115189232B ,2024-04-16

[5]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN105633797A ,2016-06-01

[6]

无铝半导体激光器结构 [P].

许并社 ;

董海亮 ;

梁建 ;

马淑芳 ;

余春艳 .

中国专利 :CN104242058A ,2014-12-24

[7]

半导体激光器及其制备方法 [P].

郑兆祯 ;

陈长安 .

中国专利 :CN111211477A ,2020-05-29

[8]

半导体激光器及其制备方法 [P].

周坤 ;

刘建平 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN105790072A ,2016-07-20

[9]

一种高速半导体激光器芯片及其制备方法 [P].

章曙东 ;

陈鸿翔 ;

张林建 ;

王陈 .

中国专利 :CN118399201A ,2024-07-26

[10]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN205622044U ,2016-10-05

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