一种半导体激光器外延片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310680552.7

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN103715605A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

许并社李学敏马淑芳田海军吴小强

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01L2122

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740374791 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2013106805527 申请公布日:20140409
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582051090 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2013106805527 申请日:20131212
2014-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光器用外延片 [P].

马淑芳 ;

田海军 ;

吴小强 ;

梁建 ;

董海亮 .

中国专利 :CN204927806U ,2015-12-30

[2]

半导体激光器用外延片及其制备方法 [P].

马淑芳 ;

田海军 ;

吴小强 ;

梁建 ;

董海亮 .

中国专利 :CN105071223A ,2015-11-18

[3]

一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器 [P].

龚平 ;

刘邦 ;

夏天文 ;

吴旗召 ;

杨宇博 .

中国专利 :CN115189232B ,2024-04-16

[4]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN105633797A ,2016-06-01

[5]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

和田一彦 .

中国专利 :CN100505443C ,2006-10-04

[6]

GaAs半导体激光器外延片及其制备方法 [P].

于颖 ;

吴德华 ;

赵凯迪 ;

朱凯 ;

贾鑫 .

中国专利 :CN120638033A ,2025-09-12

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

小林隆二 .

中国专利 :CN1886877A ,2006-12-27

[8]

半导体激光器及其制造方法 [P].

宫嵜启介 ;

和田一彦 ;

森本泰司 .

中国专利 :CN1455483A ,2003-11-12

[9]

半导体激光器及其制造方法 [P].

佐藤典文 ;

今西大介 .

中国专利 :CN1610995B ,2005-04-27

[10]

半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 [P].

竹冈忠士 ;

石仓卓郎 .

中国专利 :CN100585968C ,2006-05-17

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