高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510012236.8

申请日：

2005-07-21

公开(公告)号：

CN1901301A

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

王俊马骁宇郑凯林涛王勇刚

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-24	公开	公开
2008-08-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 [P].

王俊 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1866652A ,2006-11-22

[2]

大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 [P].

王俊 ;

马骁宇 ;

林涛 ;

郑凯 ;

王勇刚 .

中国专利 :CN1917313A ,2007-02-21

[3]

大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 [P].

史慧玲 ;

郑凯 .

中国专利 :CN101114757A ,2008-01-30

[4]

一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

张银桥 ;

王建红 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120300607B ,2025-10-17

[5]

一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

张银桥 ;

王建红 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120300607A ,2025-07-11

[6]

808nm平顶光场大功率激光器 [P].

宁吉丰 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

王彦照 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 .

中国专利 :CN204361476U ,2015-05-27

[7]

808nm平顶光场大功率激光器 [P].

宁吉丰 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

王彦照 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 .

中国专利 :CN104600562B ,2015-05-06

[8]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN205622044U ,2016-10-05

[9]

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 [P].

潘旭 ;

张露 ;

吴波 ;

张小宾 ;

杨翠柏 .

中国专利 :CN105633797A ,2016-06-01

[10]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

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