808nm平顶光场大功率激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510055185.0

申请日：

2015-02-03

公开(公告)号：

CN104600562B

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

宁吉丰陈宏泰车相辉王彦照林琳位永平王晶

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

米文智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	公开	公开
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611552881 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2015100551850 申请日:20150203
2017-08-29	授权	授权

共 50 条

[1]

808nm平顶光场大功率激光器 [P].

宁吉丰 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

王彦照 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 .

中国专利 :CN204361476U ,2015-05-27

[2]

一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 [P].

王俊 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1866652A ,2006-11-22

[3]

高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构 [P].

王俊 ;

马骁宇 ;

郑凯 ;

林涛 ;

王勇刚 .

中国专利 :CN1901301A ,2007-01-24

[4]

一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

张银桥 ;

王建红 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120300607B ,2025-10-17

[5]

一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

张银桥 ;

王建红 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120300607A ,2025-07-11

[6]

非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器 [P].

李沛旭 ;

李树强 ;

夏伟 ;

张新 ;

汤庆敏 ;

任忠祥 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN101340060A ,2009-01-07

[7]

波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 [P].

罗飚 ;

王任凡 .

中国专利 :CN104124609A ,2014-10-29

[8]

波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 [P].

罗飚 ;

王任凡 .

中国专利 :CN103022892B ,2013-04-03

[9]

实现大功率半导体激光器侧向远场平顶光强分布的方法 [P].

章珺越 ;

刘嘉辰 ;

李特 ;

王贞福 .

中国专利 :CN118232164B ,2024-10-01

[10]

实现大功率半导体激光器侧向远场平顶光强分布的方法 [P].

章珺越 ;

刘嘉辰 ;

李特 ;

王贞福 .

中国专利 :CN118232164A ,2024-06-21

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