非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810138792.3

申请日：

2008-08-11

公开(公告)号：

CN101340060A

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

李沛旭李树强夏伟张新汤庆敏任忠祥徐现刚

申请人：

申请人地址：

250101山东省济南市高新区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-23	授权	授权
2017-05-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751025111 IPC(主分类):H01S 5/343 专利号:ZL2008101387923 变更事项:专利权人变更前:山东华光光电子有限公司变更后:山东华光光电子股份有限公司变更事项:地址变更前:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号变更后:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号
2009-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器 [P].

李沛旭 ;

徐现刚 ;

张新 ;

蒋锴 ;

汤庆敏 .

中国专利 :CN103457158A ,2013-12-18

[2]

808nm平顶光场大功率激光器 [P].

宁吉丰 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

王彦照 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 .

中国专利 :CN204361476U ,2015-05-27

[3]

808nm平顶光场大功率激光器 [P].

宁吉丰 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

王彦照 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 .

中国专利 :CN104600562B ,2015-05-06

[4]

高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构 [P].

王俊 ;

马骁宇 ;

郑凯 ;

林涛 ;

王勇刚 .

中国专利 :CN1901301A ,2007-01-24

[5]

大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 [P].

王俊 ;

马骁宇 ;

林涛 ;

郑凯 ;

王勇刚 .

中国专利 :CN1917313A ,2007-02-21

[6]

一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 [P].

王俊 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1866652A ,2006-11-22

[7]

一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器 [P].

徐现刚 ;

李沛旭 .

中国专利 :CN108346973B ,2018-07-31

[8]

一种非对称势垒有源区808nm半导体激光器外延片及制备方法 [P].

贾鑫 ;

吴德华 ;

王振华 ;

陈康 ;

张新 .

中国专利 :CN118783245A ,2024-10-15

[9]

波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 [P].

罗飚 ;

王任凡 .

中国专利 :CN104124609A ,2014-10-29

[10]

波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 [P].

罗飚 ;

王任凡 .

中国专利 :CN103022892B ,2013-04-03

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