陶瓷烧结体以及半导体装置用基板

被引：0

申请号：

CN202180006937.8

申请日：

2021-11-29

公开(公告)号：

CN114867699A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

绪方孝友

申请人：

申请人地址：

日本国山口县

IPC主分类号：

C04B35119

IPC分类号：

H01L2315 C04B3702 H05K103

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

王强;王刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	公开	公开
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/119 申请日:20211129

共 50 条

[1]

陶瓷烧结体以及半导体装置用基板 [P].

梅田勇治 ;

河野浩 .

中国专利 :CN112789255A ,2021-05-11

[2]

陶瓷烧结体以及半导体装置用基板 [P].

梅田勇治 ;

大上纯史 .

中国专利 :CN112789256B ,2021-05-11

[3]

陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板 [P].

长广雅则 ;

大上纯史 ;

小松敬幸 .

中国专利 :CN102395540A ,2012-03-28

[4]

陶瓷烧结体、陶瓷基板、安装用基板、电子设备及陶瓷烧结体的制造方法 [P].

谷淑人 .

日本专利 :CN117794881A ,2024-03-29

[5]

半导体装置用基板 [P].

梅田勇治 .

日本专利 :CN112805822B ,2024-09-10

[6]

半导体装置用基板 [P].

梅田勇治 .

中国专利 :CN112805822A ,2021-05-14

[7]

陶瓷基板、陶瓷电路基板以及半导体装置 [P].

山形荣人 ;

青木克之 .

日本专利 :CN119403773A ,2025-02-07

[8]

半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置 [P].

五郎丸佑也 ;

上田旺 .

中国专利 :CN113394115A ,2021-09-14

[9]

半导体装置用基板、以及半导体装置用基板的制造方法 [P].

贺来健 ;

增田泉 ;

海老个濑隆 .

日本专利 :CN120530489A ,2025-08-22

[10]

半导体元件安装用基板以及半导体装置 [P].

杉本好正 .

日本专利 :CN118043959A ,2024-05-14

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