多晶硅薄膜晶体管离子注入机

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200320112910.6

申请日：

2003-12-08

公开(公告)号：

CN2672854Y

公开(公告)日：

2005-01-19

发明(设计)人：

付国柱邵喜斌荆海廖燕平高文涛史辉琨

申请人：

申请人地址：

130031吉林省长春市东南湖大路16号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01J37317

代理机构：

长春科宇专利代理有限责任公司

代理人：

李恩庆

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-19	授权	授权
2008-01-30	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

离子注入机 [P].

付国柱 ;

邵喜斌 ;

荆海 ;

廖燕平 ;

高文涛 ;

史辉琨 .

中国专利 :CN1547240A ,2004-11-17

[2]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

刘红侠 ;

栾苏珍 .

中国专利 :CN101286530B ,2008-10-15

[3]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610651A ,2012-07-25

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管基板 [P].

谢朝桦 ;

彭家鹏 .

中国专利 :CN2727796Y ,2005-09-21

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN2717021Y ,2005-08-10

[6]

搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管 [P].

周玮 ;

赵淑云 ;

郭海成 .

中国专利 :CN103137664A ,2013-06-05

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN2717022Y ,2005-08-10

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

朱涛 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN103050410A ,2013-04-17

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板 [P].

陈秋权 .

中国专利 :CN104538456A ,2015-04-22

[10]

多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610519A ,2012-07-25

← 1 2 3 4 5 →