一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811213112.X

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN109023517A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

朱嘉琦舒国阳代兵杨磊刘雪冬李一村刘康孙明琪王杨赵继文姚凯丽刘本建王伟华薛晶晶韩杰才

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2520 C30B2904

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

岳泉清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20181017
2020-09-01	授权	授权
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法 [P].

朱嘉琦 ;

舒国阳 ;

代兵 ;

杨磊 ;

李一村 ;

刘雪冬 ;

刘康 ;

孙明琪 ;

王杨 ;

赵继文 ;

姚凯丽 ;

刘本建 ;

王伟华 ;

薛晶晶 ;

韩杰才 .

中国专利 :CN109183146A ,2019-01-11

[2]

一种处理单晶金刚石籽晶的方法 [P].

王洪波 ;

顾海巍 ;

褚巍 .

中国专利 :CN113564701A ,2021-10-29

[3]

基于聚焦离子束的用于单晶金刚石刀具的成形方法 [P].

陈俊云 ;

张春义 ;

李科锦 .

中国专利 :CN116079206B ,2025-04-25

[4]

金刚石表面离子束改性 [P].

廖道达 .

中国专利 :CN1079515A ,1993-12-15

[5]

一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法 [P].

曹光宇 ;

张星 ;

陈永超 .

中国专利 :CN116988162B ,2024-05-17

[6]

一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

孔霞 ;

郝晓斌 .

中国专利 :CN114250511A ,2022-03-29

[7]

一种利用聚焦离子束技术制备光纤探针的方法 [P].

邵天敏 ;

张少婧 ;

刘佳琛 ;

王惠 ;

刘大猛 .

中国专利 :CN102590560A ,2012-07-18

[8]

一种用于有瑕疵的金刚石籽晶的MPCVD单晶金刚石生长方法 [P].

张新峰 ;

高欣 .

中国专利 :CN120026389A ,2025-05-23

[9]

一种降低单晶金刚石缺陷的制备方法 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 .

中国专利 :CN119980453A ,2025-05-13

[10]

一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法 [P].

朱嘉琦 ;

舒国阳 ;

代兵 ;

韩杰才 ;

陈亚男 ;

杨磊 ;

王强 ;

王杨 ;

刘康 ;

赵继文 ;

孙明琪 .

中国专利 :CN104878447B ,2015-09-02

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