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测量系统、光刻设备和测量方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200810086782.X
申请日
:
2008-03-26
公开(公告)号
:
CN101276155B
公开(公告)日
:
2008-10-01
发明(设计)人
:
马克·威廉姆斯·玛丽亚·范德威吉斯特
恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇
克恩·雅克布斯·约翰尼斯·玛丽亚·扎安尔
申请人
:
申请人地址
:
荷兰维德霍温
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
G01D538
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
王波波
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2008-10-01
公开
公开
2010-12-22
授权
授权
2008-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
测量系统、光刻设备和测量方法
[P].
马克·威廉姆斯·玛丽亚·范德威吉斯特
论文数:
0
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0
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马克·威廉姆斯·玛丽亚·范德威吉斯特
;
恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇
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恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇
;
克恩·雅克布斯·约翰尼斯·玛丽亚·扎安尔
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克恩·雅克布斯·约翰尼斯·玛丽亚·扎安尔
.
中国专利
:CN102096332A
,2011-06-15
[2]
测量系统及其测量方法、光刻设备
[P].
杨晨
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
杨晨
;
朱金台
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
朱金台
;
刘美娇
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
刘美娇
;
高丹妮
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
高丹妮
;
任文然
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机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
任文然
.
中国专利
:CN119717404A
,2025-03-28
[3]
光刻设备和位置测量方法
[P].
E·J·M·尤斯森
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E·J·M·尤斯森
;
T·A·R·范埃佩
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T·A·R·范埃佩
;
W·O·普里
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W·O·普里
.
中国专利
:CN1758140A
,2006-04-12
[4]
位置测量方法、位置测量系统以及光刻设备
[P].
吴萍
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机构:
上海微电子装备(集团)股份有限公司
上海微电子装备(集团)股份有限公司
吴萍
;
付强
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机构:
上海微电子装备(集团)股份有限公司
上海微电子装备(集团)股份有限公司
付强
.
中国专利
:CN117537704A
,2024-02-09
[5]
位移测量系统、光刻设备、位移测量方法和装置制造方法
[P].
B·A·J·卢蒂克休斯
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B·A·J·卢蒂克休斯
;
H·H·M·科克斯
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H·H·M·科克斯
;
E·R·卢普斯特拉
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E·R·卢普斯特拉
;
E·A·F·范德帕施
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E·A·F·范德帕施
;
H·K·范德舒特
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H·K·范德舒特
.
中国专利
:CN101071276A
,2007-11-14
[6]
测量系统、方法和光刻设备
[P].
H·H·M·考克西
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H·H·M·考克西
;
W·H·G·A·考恩
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W·H·G·A·考恩
;
T·A·马塔尔
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T·A·马塔尔
;
M·T·J·彼德尔斯
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M·T·J·彼德尔斯
;
R·A·A·沃库伊耶
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R·A·A·沃库伊耶
.
中国专利
:CN102298269A
,2011-12-28
[7]
检查设备、光刻设备、测量方法
[P].
B·J·P·罗塞特
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B·J·P·罗塞特
;
J·H·E·A·姆吉德尔曼
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J·H·E·A·姆吉德尔曼
;
B·C·H·斯梅茨
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B·C·H·斯梅茨
.
中国专利
:CN113474732A
,2021-10-01
[8]
测量方法、测量设备、光刻设备和器件制造方法
[P].
E·W·埃伯特
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E·W·埃伯特
;
F·G·C·比基恩
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F·G·C·比基恩
.
中国专利
:CN106796406A
,2017-05-31
[9]
测量方法、检验设备和光刻设备
[P].
埃维哈德斯·科尼科斯·摩斯
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埃维哈德斯·科尼科斯·摩斯
;
毛瑞特斯·范德查尔
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毛瑞特斯·范德查尔
.
中国专利
:CN101231472B
,2008-07-30
[10]
测量方法和测量系统
[P].
藤原光
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机构:
东京毅力科创株式会社
东京毅力科创株式会社
藤原光
.
日本专利
:CN118103663A
,2024-05-28
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