一种功率器件MOSFET特性测试实验装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521075497.X

申请日：

2015-12-18

公开(公告)号：

CN205484684U

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

俞勇祥

申请人：

申请人地址：

310057 浙江省杭州市余杭塘路388号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	授权	授权
2018-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20151218 授权公告日:20160817 终止日期:20161218

共 50 条

[1]

一种功率器件双脉冲测试实验装置 [P].

梁光胜 ;

于跃 ;

徐婷婷 .

中国专利 :CN221550848U ,2024-08-16

[2]

一种功率器件静态参数测试实验装置 [P].

梁光胜 ;

于跃 ;

徐婷婷 .

中国专利 :CN221507060U ,2024-08-09

[3]

一种功率器件特性测试电路 [P].

何嘉辉 ;

陈啟钊 ;

陈希辰 ;

钟有权 .

中国专利 :CN222514630U ,2025-02-21

[4]

一种功率器件均流特性评估实验装置 [P].

闫音蓓 ;

郑飞麟 ;

李恬晨 ;

范迦羽 ;

彭程 ;

李学宝 ;

赵志斌 ;

崔翔 ;

代安琪 ;

孙帅 ;

林仲康 .

中国专利 :CN113030608B ,2021-06-25

[5]

一种MOSFET功率器件 [P].

孙晓儒 ;

徐栋 ;

张诚阳 .

中国专利 :CN212182339U ,2020-12-18

[6]

一种改善EAS特性的功率MOSFET器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈剑 ;

姜帆 ;

张军亮 .

中国专利 :CN208315533U ,2019-01-01

[7]

一种光纤耦合与特性测试实验系统 [P].

冯玉新 .

中国专利 :CN213239409U ,2021-05-18

[8]

一种伴热带测试实验装置 [P].

陈晓龙 ;

陈磊 .

中国专利 :CN208520688U ,2019-02-19

[9]

一种功率器件高温测试分选装置 [P].

庞朝远 ;

林群滔 .

中国专利 :CN216500798U ,2022-05-13

[10]

功率器件工作特性测试装置 [P].

黄沛胜 ;

刘飞 ;

蔡业信 .

中国专利 :CN120629759A ,2025-09-12

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