半导体装置及其制造方法、半导体密封用环氧树脂组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710574007.8

申请日：

2017-07-14

公开(公告)号：

CN107622980B

公开(公告)日：

2018-01-23

发明(设计)人：

高本真中岛数矢

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳;程采

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-14	授权	授权
2018-01-23	公开	公开
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/29 申请日:20170714

共 50 条

[1]

半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置 [P].

篠崎千织 ;

高本真 ;

铃木达 ;

光田昌也 ;

嶽出和彦 ;

松永隆秀 .

中国专利 :CN107663357B ,2018-02-06

[2]

半导体密封用环氧树脂组合物以及半导体装置 [P].

长田将一 ;

中山英史 .

中国专利 :CN1769364B ,2006-05-10

[3]

半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置的制造方法 [P].

田中祐介 ;

松永隆秀 .

日本专利 :CN120329688A ,2025-07-18

[4]

半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置的制造方法 [P].

田中祐介 ;

松永隆秀 .

中国专利 :CN107400334A ,2017-11-28

[5]

半导体密封用环氧树脂组合物 [P].

捧望 ;

细野洋平 .

日本专利 :CN115380075B ,2024-06-18

[6]

半导体密封用环氧树脂组合物 [P].

捧望 ;

细野洋平 .

中国专利 :CN115380075A ,2022-11-22

[7]

半导体密封用环氧树脂组合物以及半导体装置 [P].

浅野英一 ;

盐原利夫 .

中国专利 :CN1705110A ,2005-12-07

[8]

半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置 [P].

伊藤祐辅 ;

黑田洋史 ;

铃木达 ;

高田涉 .

中国专利 :CN107418143A ,2017-12-01

[9]

半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置 [P].

西川敦准 .

中国专利 :CN102875974A ,2013-01-16

[10]

半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置 [P].

长田将一 ;

木村靖夫 ;

浅野英一 ;

盐原利夫 .

中国专利 :CN1854186B ,2006-11-01

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