多弧离子镀弧源装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122343248.6

申请日：

2021-09-26

公开(公告)号：

CN216074013U

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

王磊孙雪晴胡平储松柏任斌

申请人：

申请人地址：

246005 安徽省安庆市经济技术开发区迎宾大道16号区

IPC主分类号：

C23C1432

IPC分类号：

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115

代理人：

娄岳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备 [P].

李浩 ;

姚奕帆 ;

徐小军 ;

朱旻昊 .

中国专利 :CN117448753A ,2024-01-26

[2]

一种多弧离子镀弧源伸缩装置 [P].

冷长志 .

中国专利 :CN114561620A ,2022-05-31

[3]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

胡方勤 ;

宋振纶 ;

郑必长 ;

许赪 .

中国专利 :CN112746249B ,2021-05-04

[4]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

王光辉 ;

张宏伟 ;

姜月秋 ;

郭策安 ;

卢旭东 .

中国专利 :CN119553230A ,2025-03-04

[5]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

王光辉 ;

张宏伟 ;

姜月秋 ;

郭策安 ;

卢旭东 .

中国专利 :CN119553230B ,2025-05-30

[6]

一种多弧离子镀阴极装置及多弧离子镀方法 [P].

盛海 ;

杨安存 ;

韦金权 ;

王金年 .

中国专利 :CN119506791A ,2025-02-25

[7]

一种多弧离子镀镀膜装置 [P].

陈瑶瑶 ;

谭卓鹏 ;

钟志强 ;

邱联昌 ;

高亚伟 ;

周贤杰 ;

殷磊 ;

胡伟军 ;

廖星文 .

中国专利 :CN220887664U ,2024-05-03

[8]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN210341041U ,2020-04-17

[9]

一种弧源错开排列的多弧离子镀设备 [P].

李启炎 .

中国专利 :CN209194041U ,2019-08-02

[10]

微弧离子镀方法 [P].

蒋百铃 ;

曹政 ;

李洪涛 ;

赵健 .

中国专利 :CN103397304A ,2013-11-20

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